8 de cada 10 chips son defectuosos, y aun así China lanza HBM3E: la memoria para IA, cueste lo que cueste

La empresa china CXMT planea fabricar la avanzada memoria HBM3E para inteligencia artificial, aunque hasta el 80% de los chips fabricados no superan el control de calidad. La compañía está dispuesta a tolerar pérdidas enormes para suministrar un componente que escasea gravemente entre los fabricantes locales de procesadores de IA.

ChangXin Memory Technologies, el mayor fabricante chino de memoria DRAM, espera comenzar una producción limitada de HBM3E en los próximos dos meses. Según dos fuentes informadas, ya enviaron muestras a varios desarrolladores de chips para IA en China. CXMT no confirmó los planes.

El problema principal es la tasa de unidades aptas. En CXMT solo cumplen los requisitos entre el 20–30% de la producción, mientras que en la surcoreana SK Hynix ese índice alcanza aproximadamente el 70%. El resto debe descartarse o reacondicionarse, lo que encarece la producción.

La memoria HBM se diferencia de la DRAM convencional por su diseño. Varios niveles de chips se apilan verticalmente uno sobre otro, proporcionando una alta velocidad de intercambio de datos con el procesador. Ese tipo de memoria es necesaria para los aceleradores donde se entrenan y ejecutan grandes modelos de lenguaje. Sin memoria rápida, un procesador potente pierde eficacia.

Los desarrolladores chinos deben resolver el problema en el contexto de las restricciones de exportación estadounidenses. Washington endureció las normas de suministro de HBM avanzada en diciembre de 2024. Debido a la escasez, las empresas compran memoria por canales no oficiales, a veces pagando varios veces más. Anteriormente Huawei, Cambricon, MetaX e Iluvatar CoreX aumentaron los precios de los chips de IA entre el 20% y el 50%.

La empresa empezó a desarrollar su propia HBM3E ya en 2024. Ofrecieron a los clientes dos variantes de la memoria, una estándar y otra modificada para aumentar la proporción de unidades aptas. Sin embargo, las pruebas preliminares mostraron que, en rendimiento, la HBM3E china se aproxima más a la HBM3 anterior de SK Hynix que a la HBM3E del competidor surcoreano.

A pesar del retraso, CXMT ya ocupa un lugar notable en el mercado de memoria DRAM. Según Counterpoint Research, en el segundo trimestre de 2026 la empresa obtuvo el 10% de los ingresos mundiales por ventas de DRAM y se convirtió en el cuarto mayor fabricante del mundo. En septiembre CXMT lanzó la plataforma G5; sin embargo, la HBM es mucho más compleja de fabricar.

En el mercado mundial de HBM dominan SK Hynix, Samsung y Micron. En el segundo trimestre representaron respectivamente el 50%, 33% y 18% de los ingresos del segmento, según Counterpoint Research. Samsung ya ha ampliado las ventas de HBM4 y ha entregado a los clientes muestras de HBM4E. CXMT está al menos una generación rezagada, y las restricciones de acceso a equipo moderno dificultan reducir la brecha.

La baja tasa de unidades aptas significa que la HBM3E china probablemente resultará más cara que los análogos extranjeros. Pero para los fabricantes chinos de aceleradores de IA, una fuente nacional de memoria puede valer más que un precio bajo. Por ahora se trata solo de volúmenes limitados previstos, no de un reemplazo masivo de los suministros de los líderes mundiales.